Zabezpieczenie przed odwrotną polaryzacją MOSFET typu P

Zabezpieczenie przed odwrotną polaryzacją MOSFET typu P
MOSFET z kanałem typu P
W układzie mamy wykorzystany tranzystor polowy MOSFET z kanałem typu P, wpięty w układ na „plusowej” szynie zasilania. 
W momencie gdy napięcie jest podłączone prawidłowo, przez diodę, która znajduje się w wewnętrznej strukturze tranzystora, 
jak i przez jego kanał przepływa prąd. Dzieje się tak gdyż bramka tranzystora (G) znajduje się na niższym potencjale niż źródło (S). 
Jeśli z kolei napięcie zasilania zostanie podłączone odwrotnie to potencjał będzie wyższy i kanał tranzystora nie będzie przewodził. 
Zaletą takiego rozwiązania jest bardzo niska rezystancja otwartego tranzystora (rezystancja pomiędzy źródłem(S) a drenem (D)). 
Wynosi ona zazwyczaj ok. 0,1Ώ co daje nam niewielkie spadki napięcia i niewielką moc traconą na tranzystorze.
Ważne jest, aby włożyć tranzystor we właściwym kierunku. Uwaga: w przypadku tranzystora MOSFET z kanałem p dioda jest w kierunku do przodu od drenażu do źródła.
Obwód pokazuje tranzystor FET po stronie wysokiego napięcia na ścieżce zasilania. Dioda korpusu FET jest zorientowana w kierunku 
normalnego przepływu prądu. Gdy bateria jest zainstalowana nieprawidłowo, napięcie bramki PMOS FET jest wysokie, co uniemożliwia jej włączenie.
Dioda Zenera chroni przed przekroczeniem zalecanego napięcia bramki-źródła i może nie być wymagana, w zależności od zakresu napięcia wejściowego i zastosowanego tranzystora MOSFET. 
Kondensator jest dodany między bramką a źródłem, aby zapewnić prawidłowe działanie obwodu w przypadku gwałtownej zmiany w polaryzacji napięcia wejściowego.
Gdy bateria jest zainstalowana prawidłowo, napięcie bramki PMOS FET jest niskie, a jego kanał zwiera diodę.