© 2024 EasyEDA Some rights reserved ISO/IEC
1.Easy to use and quick to get started
2.The process supports design scales of 300 devices or 1000 pads
3.Supports simple circuit simulation
4.For students, teachers, creators
1.Brand new interactions and interfaces
2.Smooth support for design sizes of over 5,000 devices or 10,000 pads
3.More rigorous design constraints, more standardized processes
4.For enterprises, more professional users
STD Zabezpieczenie przed odwrotną polaryzacją MOSFET typu P
License: Public Domain
Mode: Editors' pick
Zabezpieczenie przed odwrotną polaryzacją MOSFET typu P
MOSFET z kanałem typu P
W układzie mamy wykorzystany tranzystor polowy MOSFET z kanałem typu P, wpięty w układ na „plusowej” szynie zasilania.
W momencie gdy napięcie jest podłączone prawidłowo, przez diodę, która znajduje się w wewnętrznej strukturze tranzystora,
jak i przez jego kanał przepływa prąd. Dzieje się tak gdyż bramka tranzystora (G) znajduje się na niższym potencjale niż źródło (S).
Jeśli z kolei napięcie zasilania zostanie podłączone odwrotnie to potencjał będzie wyższy i kanał tranzystora nie będzie przewodził.
Zaletą takiego rozwiązania jest bardzo niska rezystancja otwartego tranzystora (rezystancja pomiędzy źródłem(S) a drenem (D)).
Wynosi ona zazwyczaj ok. 0,1Ώ co daje nam niewielkie spadki napięcia i niewielką moc traconą na tranzystorze.
Ważne jest, aby włożyć tranzystor we właściwym kierunku. Uwaga: w przypadku tranzystora MOSFET z kanałem p dioda jest w kierunku do przodu od drenażu do źródła.
Obwód pokazuje tranzystor FET po stronie wysokiego napięcia na ścieżce zasilania. Dioda korpusu FET jest zorientowana w kierunku
normalnego przepływu prądu. Gdy bateria jest zainstalowana nieprawidłowo, napięcie bramki PMOS FET jest wysokie, co uniemożliwia jej włączenie.
Dioda Zenera chroni przed przekroczeniem zalecanego napięcia bramki-źródła i może nie być wymagana, w zależności od zakresu napięcia wejściowego i zastosowanego tranzystora MOSFET.
Kondensator jest dodany między bramką a źródłem, aby zapewnić prawidłowe działanie obwodu w przypadku gwałtownej zmiany w polaryzacji napięcia wejściowego.
Gdy bateria jest zainstalowana prawidłowo, napięcie bramki PMOS FET jest niskie, a jego kanał zwiera diodę.
ID | Name | Designator | Footprint | Quantity |
---|---|---|---|---|
1 | BUZZER-12X9 | BUZZER1 | BUZ-TH_BD12.0-P7.60-D0.6-FD | 1 |
2 | 15nF 50V | C1 | CAP-TH_L13.0-W5.0-P10.00-D1.0 | 1 |
3 | ZENER 10V | D1 | DO-41_BD2.4-L4.7-P8.70-D0.9-RD | 1 |
4 | LED_R | LED1 | LED-TH_BD5.0_RED | 1 |
5 | LED_G | LED2 | LED-TH_BD5.0_GREEN | 1 |
6 | VCC / GND | P1 | KRE-TH_2P-P5.08 | 1 |
7 | VCC/GND | P2 | KRE-TH_2P-P5.08 | 1 |
8 | IRF4905PBF | Q1 | TO-220-3_L10.0-W4.5-P2.54-T | 1 |
9 | 12k 0,125W | R1 | R_AXIAL-0.4 | 1 |
10 | 1k | R2,R3 | R_AXIAL-0.4 | 2 |
11 | 15*10.5 | U1 | HEATSINK-TH_L15.5-W10.5-XSD1226-005 | 1 |
Unfold
Loading...
Do you need to add this project to the album?